Analyse dans les plans E et H des multiportes en guides d’ondes métalliques rectangulaires par la méthode des éléments finis
| dc.contributor.author | Nouri, K | en_US |
| dc.contributor.author | Feham, M | en_US |
| dc.contributor.author | Benhmed, N | en_US |
| dc.contributor.author | Meliani, M | en_US |
| dc.contributor.author | Dali, S | en_US |
| dc.date.accessioned | 2012-05-24T10:46:25Z | en_US |
| dc.date.available | 2012-05-24T10:46:25Z | en_US |
| dc.date.issued | 2003-09-28 | en_US |
| dc.description | Conférence Internationale sur les Systèmes de Télécommunication , d’Electronique Médicale et d’Automatique, CISTEMA’2003 | en_US |
| dc.description.abstract | La méthode des éléments finis (MEF) est exploitée pour caractériser le champ électromagnétique dans les plans E et H des discontinuités en guides d’ondes métalliques rectangulaires sans pertes, en calculant leurs matrices de répartition en puissance [S]. Ces jonctions multiportes, excitées par le mode fondamental TE10, sont analysées en tenant compte de la présence des modes supérieurs qui apparaissent au niveau de la discontinuité et qui s’atténuent lorsqu’on s’éloigne de celleci. Plusieurs configurations de structures sont présentées dans ce document pour montrer la cohérence des résultats numériques obtenus par la MEF avec ceux de la littérature bibliographique. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/862 | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | University of Tlemcen | en_US |
| dc.title | Analyse dans les plans E et H des multiportes en guides d’ondes métalliques rectangulaires par la méthode des éléments finis | en_US |
| dc.type | Article | en_US |