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Titre: Etude du silicium poreux : aspects fondamentaux et pratiques.
Auteur(s): OUL DABBAS, Amaria
Mots-clés: Conditions de formation du silicium poreux .L’oxydation thermique rapide.
Date de publication: 15-fév-2015
Résumé: Notre travail a consiste a déposer des couches de silicium par épistaxis en phase liquide sur des couches de silicium poreux(SIP) graduelles. Pour une bonne couche cristalline l'homo et trophallaxie pendentif de certaines étapes essentielles : (i) le mouillage ,(ii) la mutilation ,(iii) la croissance de non coalescence et enfin (iv) la croissance de couche mince cristalline. Après la réalisation de ces couches ,nous profonde au transfert par décrochage de la couche de forte porosité qui se trouve en profondeur et le collage de l’ensemble sur de la céramique ou le verre (substrat de faible coute )et ainsi la réalisation de cellules solaires minces.
URI/URL: http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/7352
Collection(s) :Doctorat classique en Physique

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