1. Depot institutionnel de l'Universite Abou Bekr Belkaid Tlemcen UABT
  2. Département de Génie Eléctrique et Electronique
  3. Magister en GEE
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Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorMerad, Faiza-
dc.date.accessioned2014-09-29T10:50:21Z-
dc.date.available2014-09-29T10:50:21Z-
dc.date.issued2014-09-11-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/6096-
dc.language.isofren_US
dc.subjectMOSFET-FINFETen_US
dc.subjectModélisationen_US
dc.titleConception et simulation des caractéristiques électriques d'un transistor MOSFET nanométrique à conduction latéral de type tri-Gate(fin-FETen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Magister en GEE

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