Etude Et Simulation Des Courants De Fuites Dans Les Transistors MOS A Canaux Courts

Abstract

Le courant de fuite sous seuil augmente considérablement avec des technologies de plus en plus évolué. Un pourcentage considérable de la puissance totale des puces conçues est dû aux courants de fuite, également connue sous le nom de puissance statique. Estimer exactement la puissance statique aux premières étapes de toute conception est une étape importante pour développer des produits à rendement en puissance efficace.Le courant de fuite est une partie importante du courant total. Ce courant de fuite est employé comme référence pour la détermination des puces défectueuses. Il est déterminé par la somme des courants de fuite du composent et plus exactement des transistors élémentaires la constituant. Une valeur de courant de fuite choisi adéquatement retenue en référence, permettra d'éliminer les puces défectueuse et d'éviter de se débarrasser de celles non défectueuses. La dissipation excessive de puissance a pour conséquence des coûts d'encapsulation et de refroidissement accrus aussi bien que des problèmes de fiabilité. Le but de ce travail est de mettre en évidence certains courants de fuite dans des transistors à canaux courts tel que BSIM4 employant les logiciels de simulation électrique SPICE et MATLAB. Nous nous sommes intéressé principalement dans cette étude aux courants : sous seuil, IGIDL, IDIBL, IOFF, Ion.