Etude et mise en évidence des performances des transistors SG- FD-SOI -MOSFET

Abstract

La technologie MOS sur substrat massif a joué un rôle essentiel lors de l’évolution de la microélectronique. La réduction régulière de la taille des transistors conduit aujourd’hui à des dispositifs nanométriques dans lesquels les effets physiques parasites, autrefois sans importance, se trouvent grandement amplifiés et vont aboutir à la fin de la technologie MOS sur substrat massif dans moins d’une dizaine d’années. La technologie MOS sur substrat SOI devrait permettre de poursuivre cette évolution. Nous avons pu dans ce manuscrit présenter brièvement les transistors MOS sur substrat massif ainsi que les problèmes engendrés par la miniaturisation, nous avons arboré ensuite la technologie SOI qui est actuellement la plus utilisée pour les dispositifs nanométriques, cette partie nous a permis d’introduire l’architecture du dispositif SOI-MOSFET, la technique de réalisation des substrats SOI, et d’énumérer ses avantages par rapport aux technologies MOS sur substrat massif, nous avons alors présenté les deux variantes des SOI MOSFET à savoir les SOI MOSFET partiellement désertés ou totalement désertés. Le processus FDSOI est une innovation technologique qui garantira le maintien de l'efficacité. Les avantages du FDSOI permettent aux concepteurs et aux fabricants de créer des produits véritablement innovants et révolutionnaires et créer de nouveaux Ce travail a été achevé par la présentation de résultats de simulation de la structure SG-FD-SOI NMOSFET que nous avons obtenus grâce à l’utilisation des modules DevEdit et Atlas du logiciel SILVACO-TCAD. Ces simulations nous a permis d’extrairer leur caractéristiques physiques et électriques ainsi d’examiner leurs performances. Le transistor SG-FD-SOI NMOSFET avec le diélectrique HfO2 donne le meilleur rapport Ion / Ioff par rapport aux diélectriques : Al2O3 et La2O3. Par conséquent, de meilleures performances de dispositif peuvent être obtenues en utilisant comme diélectrique de grille HfO2.