Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
Titre: 2D Device Modeling and Simulation / FET for Biomedical Applications
Auteur(s): BEDIA, Asma
BEDIA, Fatima Zohra
BENYOUCEF, Boumediene
Mots-clés: Modeling
Drift Diffusion
Date de publication: 2011
Résumé: The aim of our work is to model physically the material of the biosensor-type FET (Field Effect Transistor) using drift diffusion model. This latter is given in the form of differential equations with partial derivatives, describing the physical behavior of charges and currents in each part of the device. Then we exploit our modeling results such as: the electronic properties of a FET (Field Effect Transistor)-based silicon, distribution of electronic potential, the current density and the concentration of electrons and holes.
Description: Seventh International Conference on Material Sciences, Physics Procedia, ISSN : 1875-3892, DOI: 10.1016/j.phpro.2011.10.006, Volume : 21, pp. 35–41, 2011.
ISSN: 1875-3892
Collection(s) :Communications internationales

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
2D-Device-Modeling-and-Simulation.pdf26,38 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir

Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.