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http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/18524Affichage complet
| Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | RACHEDI, . Merwan | - |
| dc.date.accessioned | 2022-05-15T08:34:47Z | - |
| dc.date.available | 2022-05-15T08:34:47Z | - |
| dc.date.issued | 2022-03-20 | - |
| dc.identifier.citation | salle des thèses | en_US |
| dc.identifier.other | DOC-531.6-108-01 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/18524 | - |
| dc.description.abstract | : In this thesis we have performed a simulation of single junction thin film solar cells based on Cu (In1-x Gax) Se2.we used the SCAPS software to simulate the electrical characteristics of this solar cell.The efficiency of the cell of the 1st case is: 17,71% and the efficiency of the modification cell becomes: 23,40%.We note that the thickness has a very important impact on the improvement of the efficiency of the solar cell.It is necessary to decrease the thickness of the ZnO window layer and CdS buffer layer to increase the thickness of the CIGS absorber to 3.9 μm for good performance.The results of the simulation study can be summarized as follows: Increasing the thickness of the ZnO layer decreases the conversion efficiency ƞ of the solar cell.The increase in the thickness of the CdS n-type layer also decreases the efficiency of the solar cell.Increasing the thickness of the p-type absorber layer in CIGS leads to an increase in the efficiency ƞ and the form factor FF with small values, where the open circuit voltage Vco almost constant.The increase in doping of the ZnO layer due to the increase in yield and the FF form factor | en_US |
| dc.description.sponsorship | : Dans cette thèse nous avons effectué une simulation des cellules solaires simple jonction en couches minces à base de Cu (In1-x Gax) Se2, nous avons utilisé le logiciel SCAPS pour simuler les caractéristiques électriques de cette cellule solaire. Le rendement de la cellule du 1er cas est de: 17,71% et le rendement de la cellule de modification devient: 23,40%, On note que l'épaisseur a un impact très important sur l'amélioration du rendement de la cellule solaire. Il est nécessaire de diminuer l'épaisseur de la couche de fenêtre ZnO et de la couche tampon CdS afin d'augmenter l'épaisseur de l'absorbeur CIGS à 3,9 μm pour avoir de bonnes performances. On peut résumer les résultats de l'étude de simulation comme suite: L’augmentation de l’épaisseur de la couche en ZnO diminue le rendement de conversion de la cellule ƞ ; L’augmentation de l’épaisseur de la couche de type n en CdS diminue aussi le rendement de la cellule solaire ; L’augmentation de l’épaisseur de la couche absorbant de type p en CIGS entraine une augmentation dans le rendement ƞ et le facteur de forme FF avec des petites valeurs, où la tension de circuit ouvert Vco presque constant. L’augmentation du dopage de la couche en ZnO due à la croissement du rendement et le facteur de forme FF. | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | 15-05-2022 | en_US |
| dc.subject | : Cu (In1-xGax) Se2, ZnO, Buffer layer, SCAPS1-D | en_US |
| dc.subject | Cu (In1-x Gax) Se2, ZnO, Couche tampon, SCAPS1-D | en_US |
| dc.title | ETUDE ET SIMULATION DES PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES DES CELLULES SOLAIRES A BASE DU CHALCOPYRITE CIGS. | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| Collection(s) : | Doctorat LMD en en Physique | |
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|---|---|---|---|---|
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