Détermination de la résistivité d’une couche semi conductrice de GaN par la technique Van der Pauw.

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/13058

Titre:	Détermination de la résistivité d’une couche semi conductrice de GaN par la technique Van der Pauw.
Auteur(s):	Djebbari nee Benkhedda, Sara
Mots-clés:	Résistivité, GaN , Van der Pauw. Resistivity, GaN, Van der Pauw.
Date de publication:	24-jui-2018
Editeur:	02-10-2018
Référence bibliographique:	salles des thèses
Résumé:	Notre travail portait sur la réalisation de contacts ohmiques à base d’Indium sur du nitrure de gallium dopé au silicium sur saphir, le keithley 236 a été utilisé pour les mesures du courant en fonction de la tension. Une étude sur la détermination des paramètres de transport d’une couche semi-conductrice de nitrure de gallium dopé au silicium sur saphir a été réalisée. Nous avons traité les techniques de caractérisation électrique (Van der Pauw, la méthode des Quatre pointes) par les mesures expérimentales de la résistivité, la mobilité et la concentration des porteurs de cette couche semi-conductrice.
URI/URL:	http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13058
Collection(s) :	Master en Physique

Fichier(s) constituant ce document :

Fichier	Description	Taille	Format
Determination-de-la-resistivite-dune-couche-semi-conductrice.pdf	CD	4,19 MB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir