Détermination de la résistivité d’une couche semi conductrice de GaN par la technique Van der Pauw.

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Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	Djebbari nee Benkhedda, Sara	-
dc.date.accessioned	2018-10-02T08:28:43Z	-
dc.date.available	2018-10-02T08:28:43Z	-
dc.date.issued	2018-06-24	-
dc.identifier.citation	salles des thèses	en_US
dc.identifier.other	MS-531.6-89/01	-
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13058	-
dc.description.abstract	Notre travail portait sur la réalisation de contacts ohmiques à base d’Indium sur du nitrure de gallium dopé au silicium sur saphir, le keithley 236 a été utilisé pour les mesures du courant en fonction de la tension. Une étude sur la détermination des paramètres de transport d’une couche semi-conductrice de nitrure de gallium dopé au silicium sur saphir a été réalisée. Nous avons traité les techniques de caractérisation électrique (Van der Pauw, la méthode des Quatre pointes) par les mesures expérimentales de la résistivité, la mobilité et la concentration des porteurs de cette couche semi-conductrice.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	02-10-2018	en_US
dc.subject	Résistivité, GaN , Van der Pauw.	en_US
dc.subject	Resistivity, GaN, Van der Pauw.	en_US
dc.title	Détermination de la résistivité d’une couche semi conductrice de GaN par la technique Van der Pauw.	en_US
dc.type	Thesis	en_US
Collection(s) :	Master en Physique

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Determination-de-la-resistivite-dune-couche-semi-conductrice.pdf	CD	4,19 MB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir