Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/12518
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorTALEB, Sidi Mohammed-
dc.date.accessioned2018-02-13T11:18:20Z-
dc.date.available2018-02-13T11:18:20Z-
dc.date.issued2017-06-20-
dc.identifier.citationSalle des thèsesen_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/12518-
dc.description.abstractL’électronique et l’informatique ont accompli d’énormes progrès en un temps record.. Vu les besoins incessant du consommateur le contraignant à utiliser des équipements de tailles de plus en plus réduite et consommant le moins possible nous avons pu assister cette dernière décennie à une course immodérée vers la capacité des dispositif a résiste au effet thermique et par conséquent des circuits qui ne permettait plus d’utiliser les transistors MOSFET. Une des principales conséquences de rendre le dispositif plus résistant à la température voire des transistors MOSFET les constituant dans le cas des circuits conçus en technologie CMOS. Notre travail consiste à modélisé et simuler les caractéristiques d’un transistor MOSFET par le biais du logiciel de simulation numérique du processus et dispositifs COMSOL nous avons alors pu par le biais du même logiciel faire varier les paramètres technologiques de notre structure comme le paramètre température et examiner ainsi l’effet de ces variations sur les caractéristiques électrique de notre Transistor MOSFET.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisher13-02-2018en_US
dc.subjectSemi-conducteurs; transistors; MOSFET; Méthode des éléments finis; méthode des volumes finis; dérivé-diffusion; COMSOLen_US
dc.titleEtude du profil thermique d’un composant semiconducteur : le transistor à effet de champ à semiconducteur métal –oxyde (MOSFET.en_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master en Physique

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
Etude-du-profil-thermique-dun-composant-semiconducteur.pdfCD5,72 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.