Navigation de collection par Sujet Semi-conducteurs; transistors; MOSFET; Méthode des éléments finis; méthode des volumes finis; dérivé-diffusion; COMSOL
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| Date de publication | Titre | Auteur(s) |
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| 20-jui-2017 | Etude du profil thermique d’un composant semiconducteur : le transistor à effet de champ à semiconducteur métal –oxyde (MOSFET. | TALEB, Sidi Mohammed |