Etude du profil thermique d’un composant semiconducteur : le transistor à effet de champ à semiconducteur métal –oxyde (MOSFET.

Abstract

L’électronique et l’informatique ont accompli d’énormes progrès en un temps record.. Vu les besoins incessant du consommateur le contraignant à utiliser des équipements de tailles de plus en plus réduite et consommant le moins possible nous avons pu assister cette dernière décennie à une course immodérée vers la capacité des dispositif a résiste au effet thermique et par conséquent des circuits qui ne permettait plus d’utiliser les transistors MOSFET. Une des principales conséquences de rendre le dispositif plus résistant à la température voire des transistors MOSFET les constituant dans le cas des circuits conçus en technologie CMOS. Notre travail consiste à modélisé et simuler les caractéristiques d’un transistor MOSFET par le biais du logiciel de simulation numérique du processus et dispositifs COMSOL nous avons alors pu par le biais du même logiciel faire varier les paramètres technologiques de notre structure comme le paramètre température et examiner ainsi l’effet de ces variations sur les caractéristiques électrique de notre Transistor MOSFET.