Navigation de collection par Sujet GaN, AlN, InN, AlGaN, BGaN, InGaN, AlN, transistor à effet de champ à double hétérojonction (DHFET)
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Date de publication | Titre | Auteur(s) |
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11-avr-2019 | Simulation et contribution à l’amélioration de la structure d’un DHFET à base de matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N. | BELARBI, Abdelmalik |