Simulation et contribution à l’amélioration de la structure d’un DHFET à base de matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N.

Abstract

Les transistors à effet de champ à double-hétérojonction (DH-FETs) à base des matériaux nitrurés apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications de puissance et hyperfréquence. Ces transistors intéressent les domaines militaire et civil. Notre travail consiste à simuler un transistor DH-FET à base des matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N , afin d’améliorer ses performances fréquentielles. L’utilisation de ces matériaux nous a permis d’avoir de meilleures performances en termes de courant de sortie, tension de seuil, rapport Ion/Ioff, courant de fuite de la grille, fréquence de transition et fréquence maximale d’oscillation.