Etude Des Propriétés De Quelques Nitrures : Application Aux Photodiodes

Abstract

Dans notre étude, nous nous intéressons aux photodiodes à base de nitrures, principalement les photodiodes PIN InGaN/GaN. Notre travail est une simulation basée sur le logiciel Mathcad. Notre première approche consiste à déterminer avec précision le paramètre stoechiométrique qui doit être utilisé permettant d’atteindre un rendement quantique élevé qui va avoir des répercutions directes sur l’optimisation des autres propriétés comme la détectivité. Par la suite, dans notre modélisation on a intervenu au niveau intrinsèque en changeant la couche i-InGaN par GaN ; InGaN ; AlGaN. Les résultats montrent que la photodiode InGaN présente une sensibilité élevée par rapport à celle en AlGaN ou en GaN ; un rendement acceptable dans la bonne gamme de longueurs d’onde, mais des améliorations doivent être appliquées au niveau de la capacité de charge comme augmenter notre dopage et redimensionner notre structure ; afin de minimiser la tension inverse appliquée. Comme perspective une approche expérimentale est souhaitée, pour permettre de connaitre l’impact de la qualité cristalline sur les propriétés optiques et électriques de notre structure et l’utilisation d’une ou de plusieurs méthodes de caractérisations permettra d’avancer dans l’élaboration d’une photodiode qui peut être commercialisé.