Effet d’ionisation de couche interne sur le gain de la raie laser (3p 1S0 →3s 3P1) du Sélénium néonoïde

Abstract

Dans ce travail de mémoire nous avons calculé le coefficient de gain de la raies x lasante 2s22p53p1S0→ 2s22p53p3P1 émise à une longueur d’onde 178A°.par des ions de Sélénium de la séquence isoélectronique du néon dans un plasma chaud (Te>500eV) et dense (1018≤Ne ≤ 1022). Un model collisionnel-radiative tenant compte des processus d’excitation, de désexcitation collisionnelle et des transitions radiatives entre les 27 niveaux provenant des quatre premières configurations 2s22p6, 2s22p53s, 2s22p53p, 2s22p53p des ions Se24+ ainsi que de l’ionisation à partir du niveau fondamental des ions S23+ 2p63s 2S1/2 a été adopté lors de l’évaluation des populations des niveaux supérieur et inférieur de la raie laser considéré. Dans nos calculs nous avons utilisé des données atomiques disponible en littérature. Les sections efficaces d’ionisation des couches internes des ions de Sélénium de la séquence isoélectronique de Sodium adopté sont ceux calculé par Sampson et al. (1987). Les coefficients de taux d’excitations collsionnels à partir des forces de collisions effectives publiés par Wang et al. (2011) calculés par le code FAC. Comme nous avons pris les valeurs de densité de populations relative calculées par Gupta et al. (1989). Les valeurs trouvées montrent que cet effet réduit d’une façon appréciable le coefficient de gain pour les deux valeurs de température 1000eV et 2000eV dépendamment du rapport d’abondance des ions Se23+ et Se24+.