Analyse des spectres Raman sur des échantillons de GaN dopé et non dopé

Abstract

L’objectif de cette étude est l’analyse des spectres Raman sur des échantillons de GaN dopé et non dopé. Les nitrures d'éléments III sont des semiconducteurs dont l'émission optique suscite un grand intérêt en vue des applications optoélectroniques. Nous avons analysé leurs propriétés optiques, vibrationnelles, notamment par le biais de la spectroscopie Raman. L'étude présentée porte en particulier sur les mécanismes de diffusion inélastique de la lumière dans le GaN. Ce travail est fortement marqué par les aspects expérimentaux, et une partie importante de ce manuscrit est consacrée aux résultats obtenus en accord avec les règles de sélection.