Evaluation des performances du transistor HEMT AlGaN/InGaN/GaN

Abstract

Les transistors à haute mobilité électronique tels que les HEMTs à base de nitrure de gallium (GaN) sont, depuis peu, capable de concurrencer les transistors LDMOS à base de silicium (Si) et les pHEMT à base d’arséniure de gallium (GaAs) sur le marché des commutateurs des amplificateurs de puissance et d’amplificateurs faible bruit. Ce projet de fin d’études porte sur la conception et la simulation des caractéristiques DC et AC du transistor AlGaN/InGaN/GaN HEMT. Dans ce cadre, un modèle physico électrique basé sur la méthode des éléments finis est développé pour évaluer les performances de ce transistor. Le modèle numérique est exploité pour examiner les caractéristiques DC et AC du transistor tels que le courant drain-source, le courant de grille, la transconductance, la fréquence de coupure et la fréquence de transition, ainsi que l’influence de certains paramètres technologiques sur les performances DC et AC du transistor HEMT tels que la longueur de la grille, la fraction d’indium, et la couche de passivation