Etude des performances d’une cellule solaire de type Cu(In,Ga)Se2 (CIGS

Abstract

Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de Cu(In,Ga)Se2 semble prometteur. En effet, le rendement de ces cellules a dépassé les 20% ces dernières années. Dans ce travail de modélisation et de simulation, nous utilisons le logiciel Scaps 1D,pour étudier les performances des cellules solaires à base de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Nous évaluons dans un premier temps, le courant de court circuit Icc, la tension en circuit ouvert Vco, la puissance maximale PM, le facteur de forme FF et le rendement él ectrique η pour une structure typique de ZnO/CdS/CIGS. Par la suite nous nous intéressons au dopage et à l’épaisseur des trois couches (ZnO, CdS et CIGS) pour étudier l’influence de celles -ci sur le rendement électrique de la structure.