Influence de la température sur les caractéristiques d’une cellule solaire à base d’InGaN.

Abstract

Depuis plus d’une décennie, les matériaux III-V sont intensément étudiés pour des applications optoélectroniques dans l’UV et le bleu. En 2003, le gap d’énergie de l’InN est abaissé à 0,7 eV ouvrant la voie à des alliages pouvant couvrir quasiment tout le spectre solaire. En particulier, l’alliage InGaN fut largement étudié pour des applications photovoltaïques grâce à sa large couverture spectrale, ses bonnes caractéristiques électriques et sa résistance à de fortes puissances. Dans ce contexte, nous avons étudiés le fonctionnement des cellules photovoltaïques à base d’InGaN par la simulation numérique à deux dimensions sous éclairement avec un spectre AM1.5 effectuées sous SCAPS. Nous définissons une cellule de référence avec un ensemble de paramètres physiques, afin d’analyser leurs influences sur les caractéristiques de la cellule. Ainsi, plusieurs paramètres sont retenus : le dopage, l’épaisseur de l’émetteur, ainsi que la température qui est le sujet constitutionnel de ce mémoire.