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dc.contributor.authorFEROUANI, Abdelmadjid-
dc.date.accessioned2016-05-30T08:37:47Z-
dc.date.available2016-05-30T08:37:47Z-
dc.date.issued2016-05-30-
dc.identifier.otherDOC-531.6-58-01-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/8726-
dc.description.abstractUtilisant des informations physiques et électriques recueillies pour les cellules photovoltaïques et leur description d'opération avec l'approximation de la caractéristique I-V peut être établie et représentée par les modèles mathématiques. Dans ce travail, des cellules solaires à base de CIGS sont modélisées et simulées avec les modèles de un ou deux diodes. Dans ces modèles, nous avons obtenu la dépendance de quelques paramètres avec la température qui constituent un ensemble de données généralement non fournies par les fabricants. Des simulations sont effectuées suite aux méthodes de Newton-Raphson pour les équations I-V implicites. Et dans la deuxième partie nous avons vue l’effet de l’influence de la réduction de l’épaisseur de la couche absorbante CIGSe sur les paramètres photovoltaïques et le rendement quantique de la cellule solaire.en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectModélisation Electriques des Cellules Photovoltaïques.en_US
dc.titleEtude par Simulation et Modélisation Electriques des Cellules Photovoltaïques en Couche Mince à base de Cu(In,Ga)Se2(CIGS).en_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Doctorat LMD en en Physique

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