Méthodes d’Extraction des Paramètres des Caractéristiques I-V de Diodes Bipolaires de Puissance en 6H-SiC à Structure JTE

Abstract

Nous avons utilisé l’algorithme des moindres carrées pour extraire les valeurs du courant de saturation Is, du facteur d’idéalité n et de la résistance série Rs des caractéristiques expérimentales I-V de diodes bipolaires. Ces paramètres sont définis à partir de trois méthodes basées sur trois modèles différents. Le premier est celui d’une diode sans résistance série (Is et n), le deuxième est celui d’une barrière de potentiel en série avec Rs. Le troisième prend en considération tous les paramètres évalués à partir d’une fonction auxiliaire qui dépend de la caractéristique expérimentale I-V et d’une tension arbitraire Va. Ces méthodes sont appliquées sur cinq diodes bipolaires en 6HSiC à structure JTE. Les valeurs obtenues par la troisième méthode sont en bon accord avec le modèle réel de la diode bipolaire dans la mesure où le taux d’ajustement entre la caractéristique expérimentale I-V et celle calculée par le modèle théorique est élevé et ceci quelque soit les taux d’ajustement obtenus par les deux autres méthodes.