Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/862
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorNouri, K-
dc.contributor.authorFeham, M-
dc.contributor.authorBenhmed, N-
dc.contributor.authorMeliani, M-
dc.contributor.authorDali, S-
dc.date.accessioned2012-05-24T10:46:25Z-
dc.date.available2012-05-24T10:46:25Z-
dc.date.issued2003-09-28-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/862-
dc.descriptionConférence Internationale sur les Systèmes de Télécommunication , d’Electronique Médicale et d’Automatique, CISTEMA’2003-
dc.description.abstractLa méthode des éléments finis (MEF) est exploitée pour caractériser le champ électromagnétique dans les plans E et H des discontinuités en guides d’ondes métalliques rectangulaires sans pertes, en calculant leurs matrices de répartition en puissance [S]. Ces jonctions multiportes, excitées par le mode fondamental TE10, sont analysées en tenant compte de la présence des modes supérieurs qui apparaissent au niveau de la discontinuité et qui s’atténuent lorsqu’on s’éloigne de celleci. Plusieurs configurations de structures sont présentées dans ce document pour montrer la cohérence des résultats numériques obtenus par la MEF avec ceux de la littérature bibliographique.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of Tlemcenen_US
dc.titleAnalyse dans les plans E et H des multiportes en guides d’ondes métalliques rectangulaires par la méthode des éléments finisen_US
dc.typeArticleen_US
Collection(s) :Articles internationaux

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
Analyse-dans-les-plans-E-et-H-des-multiportes.pdf84,67 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.