Effet du Rapport Non-Linéaire du Coefficient Diffusion-Mobilité Dans la Modélisation du Transistor MESFET GaAs

Abstract

La plupart des simulateurs conventionnels de semi-conducteur, supposent dans la modélisation des composants électroniques que le rapport du coefficient de diffusion et de la mobilité est constant (relation linéaire). Dans ce travail, nous exposons un modèle simple de simulation des composants à effet de champ prenant en compte la dépendance du rapport diffusion-mobilité [1] et des phénomènes dynamiques [2] avec les forts champs électriques (relation nonlinéaire). Ce nouveau procédé basé sur la méthode des éléments finis (MEF) est applicable à la conception des transistors MESFET, TEGFET, SISFET. Les résultats obtenus prouvent que le courant dans le cas non linéaire est plus grand.