Etude des couches minces de ZnO dopées. Simulation des dopages par TRIM (Transport of Ions in Matter)

Abstract

Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à l’étude de l’implantation ionique de l’aluminium dans l’oxyde de zinc (ZnO). L’investigation a été réalisée par simulation. Cette dernière a été effectuée par le logiciel SRIM 2013, qui nous a permis de prévoir différents phénomènes de collisions entre les ions d’aluminium et une cible de ZnO. Nous avons obtenu les redistributions des ions (en profondeur) dans la cible ZnO. En plus, nous avons obtenu plusieurs paramètres liés à l’implantation ionique de l’aluminium dans ZnO : le parcours projeté Rp, la déviation standard ΔRp. En parallèle, nous avons pu prévoir les différents défauts pouvant être générés suite à l’implantation de l’aluminium dans ZnO : lacunes, phonons.Nous avons pu obtenir les différentes redistributions possibles, à savoir : la production de lacunes, le phénomène d’ionisation et la création de phonons.