Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/5270
Affichage complet
Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
---|---|---|
dc.contributor.author | DEHMOUS, Idir | - |
dc.date.accessioned | 2014-06-03T13:07:13Z | - |
dc.date.available | 2014-06-03T13:07:13Z | - |
dc.date.issued | 2014-06-03 | - |
dc.identifier.other | Etude des couches minces de CuInSe2 pour une application photovoltaïque. | - |
dc.identifier.uri | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/5270 | - |
dc.description.abstract | Le CIS (CuInSe2) est l’un des matériaux semi-conducteur les plus prometteurs pour la production des piles solaires en couches minces, efficaces et moins coûteuse, des instituts de recherches ont annoncé leurs plans pour les chaines de production de celles-ci. Mais la technologie CIS requière encore davantage d’attention concernant l’industrialisation et la stabilité à long terme. Dans ce travail nous nous intéressons à l’étude des couches minces du composé ternaire CuInSe2, qui ont révélé récemment beaucoup d’intérêt dans la communauté des sciences des matériaux et leurs utilisations pour la fabrication des cellules photovoltaïques. En effet, dans notre étude nous avons donné les principales caractéristiques des matériaux les plus utilisés en couche minces en guise de comparaison avec le CuInSe2, en suite nous nous sommes intéressés aux types de cellules qui ont été élaboré à base de ce semi-conducteur et les améliorations qui sont apportées à celles-ci en illustrant leurs performances. Par ailleurs, nous avons pris le soin de présenter les propriétés structurales et optoélectroniques du composé chalcopyrite CIS ainsi, que quelques méthodes et techniques d’élaboration de ce dernier. Finalement, nous présentons les résultats de simulation d’une cellule typique à base de CIS en utilisant le logiciel de calcul SCAPS-1D. | en_US |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.subject | application photovoltaïque. | en_US |
dc.title | Etude des couches minces de CuInSe2 pour une application photovoltaïque. | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
Collection(s) : | Master en Physique |
Fichier(s) constituant ce document :
Fichier | Description | Taille | Format | |
---|---|---|---|---|
Page de garde.pdf | 133,08 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
Sommaire.pdf | 240,94 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
Chapitre1.pdf | 776,31 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
Chapitre3.pdf | 1,34 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
Chapitre2.pdf | 1,11 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
Chapitre4.pdf | 825,24 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
References bibliographiques.pdf | 173,12 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
Resumé.pdf | 70,86 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.