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| Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kerai, Salim | - |
| dc.date.accessioned | 2014-05-06T10:42:58Z | - |
| dc.date.available | 2014-05-06T10:42:58Z | - |
| dc.date.issued | 1999-10 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/4926 | - |
| dc.description.abstract | Dans cette perspective notre travaille vise deux objectives: le premier est d'étudier les techniques capacitives (cv et dlts)tot en définissant leur conditions | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.subject | Caractéristiques I-V des diodes a jonction PN et schottky | en_US |
| dc.title | Caraterisation-des-semi-conducteurs-par-les-techniques-capacitives | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| Collection(s) : | Magister en Electronique | |
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| Fichier | Description | Taille | Format | |
|---|---|---|---|---|
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