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Date de publication | Titre | Auteur(s) |
---|---|---|
fév-2012 | AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors (HFETs) Model Including Impact Ionization Rates | Sayah, C; Bouazza, B; Guen Bouazza, A; Chabane Saria, N E |
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Date publié
- 1 2012