Évolution Du paramètre exciton de BOHR EN FONCTION DES Propriétés Optoélectroniques des semiconducteurs III-V.

Abstract

Les semi-conducteurs III-V à l’état nanostructure font un sujet d’actualité vus les multiples applications technologiques, Les nanocristaux de ces semi-conducteurs ont des propriétés qui peuvent être mises à profit pour des applications en micronanoélectronique, optoélectronique, ou même photovoltaïque. L’énergie de gap du semiconducteur change fortement avec sa taille, pour cela la détermination de la corrélation entre le paramètre de Bohr exciton (aB) et l’énergie de gap (Eg) est une propriété principale pour la compréhension du comportement des nanostructures ; par ailleurs l’indice de réfraction (n) sera relié à l’énergie du gap (Eg) de la structure de bande du matériau par la constante diélectrique ; seul cette corrélation a fait l’objet des études précédentes. Adachi a proposé une loi de comportement qui est valable pour quelques composés des familles III-V et II-VI reliant le paramètre de Bohr exciton (aB) et l’énergie de gap direct minimal (Eg) (lowest direct band-gap energy). Dans ce travaille, notre but est d’ajuster le modèle d’Adachi à la famille semi-conducteur III-V qui comportent ces énergies de gap minimales (Eg), et nous proposons des lois spécifiques à la famille IIIV reliant le paramètre de Bohr de l’exciton (aB) aux propriétés optiques. Notre prédiction sera plus précise pour cette famille des semiconducteurs. Notre but est de proposer plusieurs lois empiriques correspondantes à des semi-conducteurs massifs (bulk) qui sont intéressantes pour les nanocristaux.Abstract The energy gap of the semiconductor changes dramatically with its size. Consequently the determination of the correlation between the exciton Bohr parameter (aB), which is a size parameter, and the energy gap (Eg) is a main property for understanding the behaviour of the nanostructure properties. In this work, we propose the adjustment of Adashi’s model of exciton Bohr parameter with energy band gap to III-V family of semiconductors and propose new numerical models linking the exciton Bohr parameter (aB) to the optical properties such as the refractive index (n) and the dielectric constant (ε). We found that our predictions will be more accurate for this family of semiconductors. Our objective is to propose some models which corresponding to bulk semiconductors and giving predictions to semiconductor nanostructures.