Transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) AlGaN/GaN : Modélisation et simulation des performances

Abstract

la plus grand disposition des electrons à circuler de Ne vers P que des trous vers Ne …...» Cette remarque discret extraite du brevet d’invention du transistor bipolaire deposé par William Shockley, est à l’origine du concept de transistor bipolaire à heterojonctions .L’intérêt du HBT vient de ce que , grâce à l’hétérojonction AlGaN/GaN , il permet de repousser les limites du transistor classique en améliorant les performance fréquentielles .L’épaisseur de la base est la plus fine possible afin de minimiser le temps de transit et les recombinaisons.Le présent travail concerne la modélisation et la simulation physique d’un transistor HBT à base de AlGaN /GaN. Nous avons utilises pour cette simulation deux logiciels : AFORS-HET et SILVACO . le premier est utilisé pour fournir l’évolution des grandeur physiques fondamentales dans l’HBT à base de AlGaN/GaN . le deuxième est utilisé pour afficher les caractéristiques statique et dynamique du HBT