Optimisation des cellules solaires conventionnelles a base de silicium de type N

Abstract

Le but de ce mémoire est de voir l’influence de différentes propriétés de la cellule photovoltaique basé sur le silicium de type N .Tels que nous bénéficierons du silicium type N pour l’utilisation comme base pour la cellule solaire après qu’on le dope par du bore pour former l’émetteur. La simulation par le logiciel PC1D a été choisie pour connaître la valeur de variation influençant sur le rendement par différents paramètres comme l’influence de la couche antireflet, l’émetteur, la base, le BSF et l’effet de passivation en surface. Après la simulation, nous avons fait une comparaison entre les deux cellules à base de silicium type P et celle de type N ou nous avons trouvé que le rendement de celle de type N est semblable à celle de la cellule de type p ,ce qui nous a permis de confirmer la faisabilité de notre cellule à base de silicium type N car elle répond aux normes de rentabilité.