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http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/23949
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Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
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dc.contributor.author | Bouzzaoui, Imane | - |
dc.date.accessioned | 2024-12-22T09:34:17Z | - |
dc.date.available | 2024-12-22T09:34:17Z | - |
dc.date.issued | 2024-06-08 | - |
dc.identifier.uri | http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/23949 | - |
dc.description.abstract | Les cellules thermophotovoltaïques (TPV) sont des dispositifs capables de convertir la chaleur en électricité en utilisant l'effet photovoltaïque. Elles fonctionnent en absorbant le rayonnement thermique émis par une source de chaleur, puis en le transformant en électricité grâce à des matériaux semi-conducteurs spécifiques. Dans le présent travail, nous étudions deux matériaux semi-conducteurs type III-V. dans le tableau périodique ; l’Arsenic du Gallium et l’Arsenic du Bore (BAs) un matériau émergent, dans le but d'évaluer les avantages et les limitations de chaque matériau pour des applications photovoltaïques. Les simulations sont réalisées en utilisant le logiciel Scaps 1D en examinant une gamme de paramètres de performance dans des conditions similaires. L'influence de la température sur ces matériaux, ouvrent ainsi la voie à des applications Thermpohotovoltaique (TPV) plus efficaces et durables. | en_US |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.publisher | University of tlemcen | en_US |
dc.relation.ispartofseries | 14 Master phy; | - |
dc.subject | cellules thermophotovoltaïques, semi-conducteur, GaAs, BAs, Scaps 1D. | en_US |
dc.title | Simulation d’une Cellule Thermo-photovoltaïque (TPV) à base de Semi-conducteur GaAs et BAs | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
Collection(s) : | Master en Physique |
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Fichier | Description | Taille | Format | |
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Simulation_d_une_Cellule_Thermo_photovoltaïque_TPV_a_base_de_Semi_conducteur_GaAs_et_BAs.pdf | 2,6 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
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