Etude ab-initio de la possibilité d’incorporation des terres rares dans les semi-conducteurs II-VI

Abstract

Le présent travail entre dans le cadre des Semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS). Dans la première partie nous avons étudié un semi-conducteur binaire CdTe en utilisant la méthode de la Fonctionnelle de la Densité (DFT). En utilisant l’Approximation du Gradient Généralisé (GGA), nous avons déterminé les propriétés structurales et électroniques de CdTe. Les résultats sont en très bon accord avec les valeurs expérimentales et avec d’autres calculs théoriques. Dans une deuxième partie, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et magnétiques du semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS) CdEuTe dans la structure Zinc blende (3.12% dopé Eu). Nous avons trouvé que notre super cellule peuvent être données un moment magnétique en bon accord avec les autres théories. Les résultats obtenus sont très satisfaisants et nous ne pouvons que témoigner de la fiabilité du code VASP et la puissance de la méthode du Gradient Généralisé (GGA_PBE). Ceci nous encourage à étudier le CdTe dopé par d’autres éléments magnétiques à haute concentration.