Etude des caractéristiques physiques et électriques d'un MOSFET nanométrique

Abstract

L’électronique et l’informatique ont accompli d’énormes progrès en un temps record. En moins de soixante ans, tous les dispositifs ont subi de profondes modifications. Vu les besoins incessant du consommateur le contraignant à utiliser des équipements de tailles de plus en plus réduite et consommant le moins possible nous avons pu assister cette dernière décennie à une course immodérée vers la miniaturisation des dispositifs et par conséquent des circuits ce qui ne permettait plus d’utiliser les transistors MOSFET conventionnels sur bulk à canal long. Une des principales conséquences de la réduction des circuits s’accompagnant de la réduction de la géométrie des composants voire des transistors MOSFET les constituant dans le cas des circuits conçus en technologie CMOS. Cette réduction de la taille des dispositifs s’accompagne indéniablement de la réduction de l’épaisseur de l’oxyde de grille des transistors MOSFET, de leur longueur ect … cependant quand la longueur de la grille s’approche des valeurs nanométriques, l’utilisation du transistor MOS conventionnel devient quasiment impossible. Par conséquent il devient indispensable de trouver de nouvelles solutions, voir de trouver de nouvelles structures pour pallier aux problèmes posé par les MOSFET conventionnels devenus inefficaces dans la gamme du nanomètre. Il s’est avéré que de nouvelles architectures de transistors MOSFET multi grilles ont pu donner des résultats assez prometteurs en régime nanométrique. Notre travail consiste à concevoir et simuler les caractéristiques d’un transistor MOSFET nanométrique à double grille planaire par le biais du logiciel de simulation numérique du process et dispositifs SILVACO-TCAD, nous avons alors pu par le biais du même logiciel faire varier les paramètres technologiques de notre structure et examiner ainsi l’effet de ces variations sur les caractéristiques électrique de notre DG-nMOSFET.