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dc.contributor.authorDERRIS, ASMA-
dc.contributor.authorMOKRI, BOCHRA-
dc.date.accessioned2022-09-28T10:09:30Z-
dc.date.available2022-09-28T10:09:30Z-
dc.date.issued2022-06-30-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/19051-
dc.description.abstractLa technologie SIW, techniquement ce sont des guides d’onde réalisés par deux plans métalliques inférieur et supérieur séparés par un substrat diélectrique, dont les faces latérales sont remplacées par des rangées de trous métallisés qui relient ces deux plans. Ce mémoire a été consacré à la conception des antennes reconfigurables à onde de fuite à base de la technologie SIW (Substrat Integrated Waveguide) opérant en bande C et X qui s’étalent sur [4-8 GHz] et [8-12 GHz] respectivement. Des résultats performants ont été obtenus en termes d’adaptation. Les différentes simulations ont été achevées en employant le simulateur CST Microwave Studio.en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectTechnologie SIW, bande C, bande X, simulation, CST Microwave Studio.en_US
dc.titleConception des antennes à onde de fuite reconfigurables en technologie SIWen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master en Télécommunication

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