Simulation et optimisation de diodes électroluminescentes bleues à simple puits quantique BInGaN, InGaN sans et avec barrière arrière BGaN (back-barrier)..

BOUCHACHIA, Badia

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Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	BOUCHACHIA, Badia	-
dc.date.accessioned	2022-05-15T08:49:45Z	-
dc.date.available	2022-05-15T08:49:45Z	-
dc.date.issued	2019	-
dc.identifier.citation	salle des thèses	en_US
dc.identifier.other	DOC-531.6-107-01	-
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/18525	-
dc.description.abstract	This work deals with the study of the optoelectronic properties of single-quantum well LEDs using the SILVACO software. The structure that we simulate is a quantum well-based blue light-emitting diode sandwiched between two p-and n-doped GaN layers. In the first part of this work, we study the influence of the AlGaN electron blocking layer on LED performance. In the second part, we carry out a study of the blue LED based on the ByInxGa1-x-yN/GaN (QW) heterostructure. In the third structure, we insert a layer of ternary material, BGaN, as a back barrier layer. The electrical and optical characteristics of InGaN SQW blue LED are greatly enhanced with the use of a BGaN back barrier layer.	en_US
dc.description.sponsorship	Ce travail porte sur l’étude des propriétés optoélectroniques des LEDs à simple puits quantique en utilisant le logiciel SILVACO. La structure que nous simulons est une diode électroluminescente bleue à base de puits quantique pris en sandwich entre deux couches de GaN dopées respectivement p et n. Dans la première partie de ce travail, nous étudions l’influence de la couche de blocage électronique AlGaN sur les performances des LEDs. Dans la deuxième partie, nous effectuons une étude sur la LED bleue à base de l’hétérostructure ByInxGa1−x−yN/GaN (SQW). Dans la troisième structure, nous insérons une couche de matériau ternaire BGaN comme couche barrière arrière. Les caractéristiques électriques et optiques de la LED bleue à SQW InGaN sont grandement améliorées avec l’utilisation d'une couche de barrière arrière BGaN.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	15-05-2022	en_US
dc.subject	InGaN, BInGaN, BGaN, light emitting diode, blue light, SILVACO.	en_US
dc.subject	: InGaN, BInGaN, BGaN, diode électroluminescente, lumière bleue, SILVACO.	en_US
dc.title	Simulation et optimisation de diodes électroluminescentes bleues à simple puits quantique BInGaN, InGaN sans et avec barrière arrière BGaN (back-barrier)..	en_US
dc.type	Thesis	en_US
Collection(s) :	Doctorat LMD en en Physique

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Simulation-et-optimisation-de-diodes-electroluminescentesadia-Simulation-et-optimisation-de-diodes-électroluminescentes-bleues-a-simple-puits-qua-1.pdf	CD	8,54 MB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir

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