CONTRIBUTION A L’ETUDE DES PERFORMANCES DES COMPOSANTS AUX NANOTUBES DE CARBONE : APPLICATION AUX TRANSISTORS CNTFET.

Abstract

Ces dernières années des progrès colossaux ont permis de comprendre la physique des dispositifs électroniques des nanotubes de carbone , ce qui a manifestement et indéniablement permis d’identifier les différentes applications potentielles de cette technologie innovante. La difficulté de réduire les transistors au silicium au-delà d'une certaine taille est reconnue depuis des années. Les nanotubes de carbone (CNT) offrent une solution intéressante aux problèmes de dimensionnement des transistors, depuis leurs découverte ils révèlent en permanence des propriétés physiques importantes. À cet égard, les nanotubes de carbone (CNT) sont considérés comme des candidats prometteurs pour les futurs dispositifs nanoélectroniques tels que le transistor à effet de champ à base de nanotubes de carbone (CNTFET). Dans ce travail, Nous avons contribués dans l’étude des performances des composants aux nanotubes de carbone tel que le CNTFET on variant plusieurs paramètres et voir leurs impacts sur le comportement du transistor ainsi que sur la caractéristique électrique du transistor en particulier le courant de drain I(V), ce travail est basé sur un programme de simulation numérique. Les résultats obtenus seront comparé avec d’autres travaux qui ont été déjà effectué dans ce sens.