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Titre: A coparative study between BGaN layers grown on GaN/AI2O3 and AIN/AI2O3 by MOVPE
Auteur(s): BOUCHAOUR, M.
ORSAL, G.
OULD-ABBAS, A.
MALOUFI, N.
GAUTIER, S.
CHABANE-SARI, N.E.
OUGAZZADEN, A.
Mots-clés: BGaN
SEM
GaN/ AI2O3
AIN/AI2O3
AFM
XRD
MOVPE
Date de publication: 2012
Résumé: III-nitride wide band gap semiconductors ( GaN, AIN, and InN) have recently attracted considerable interest
URI/URL: http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/1507
Collection(s) :Communications internationales

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