Détermination de la résistivité en fonction de la température du nitrure de gallium (GaN).

Abstract

Nous avons présenté dans ce travail les résultats de simulation de la résistivité et la mobilité du GaN en fonction de température. Ces résultats confirment que la résistivité diminue d’une manière non monotone avec la température, ce qui nous a permis de voir l’évolution des différentes interactions en fonction de la température. Les interactions dominantes à basse température sont les interactions avec les impuretés ionisées et les interactions prépondérantes à haute température sont les interactions avec les phonons optiques et on remarque que la température Tm pour laquelle la mobilité est maximale ou la résistivité est minimale augmente avec le dopage. Le GaN est un matériau d’avenir pour la conception de composants de puissance haute tension et haute température.