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http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/14160Affichage complet
| Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Bechlaghem, Fatima Zohra | - |
| dc.date.accessioned | 2019-05-08T10:15:38Z | - |
| dc.date.available | 2019-05-08T10:15:38Z | - |
| dc.date.issued | 2018-09-13 | - |
| dc.identifier.citation | salle des theses | en_US |
| dc.identifier.other | DOC-531-6-87-01 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/14160 | - |
| dc.description | CD | en_US |
| dc.description.abstract | The developed studies in military and civil fields are behind a major evolution of the industry of microwave technologies, using the heterojunction field effect transistor. The system of material I of InxGa1-xAs n for the pseudo-morphic HEMTs transistors has a structure of better transport properties, among other III-V compound semiconductors. The work presented in this memoir globally consists of two main parts: The first part consists of the study of the phenomena of electronic transport of InGaAs materials by the techniques of Monte Carlo simulation. In this part, we have studied the speeds in steady state and transitional regime, particle energy in different valleys as function of time and for different electric fields and temperature. This study is completed with satisfactory results. In the second part, we have carried out a study of the DC and AC characteristics of a pseudo morphic HEMT AlGaAs / InGaAs / GaAs field effect transistor. We expose the results of the two-dimensional numerical simulation by using the ATLAS module of the SILVACO software under the influence of different technological parameters and we have obtained good results. | en_US |
| dc.description.sponsorship | Les études développées dans les domaines militaires et civils, sont à l‟origine d‟une évolution importante de l‟industrie des technologies hyperfréquences, utilisant le transistor à effet de champ à base d‟hétérojonction. Le système de matériaux d‟InxGa1-xAs pour les transistors pseudo morphique HEMTs a une structure de meilleures propriétés de transport, parmi d'autres semi-conducteurs composés III-V. Le travail présenté dans ce mémoire globalement est constituée de deux parties principales : La première partie comporte l‟étude des phénomènes de transport électronique du matériau InGaAs par les techniques de simulation Monté Carlo. Dans cette partie, nous avons étudié les vitesses en régimes stationnaires et transitoire ,la mobilités , l‟énergie des particules dans les différentes vallées en fonction du temps et pour différents champs électriques et température. Cette étude est achevée avec des résultats très satisfaisants. Dans la deuxième partie, nous avons mené une étude des caractéristiques DC et AC d‟un transistor a effet de champ AlGaAs/InGaAs /GaAs pseudo morphique HEMT. Nous exposons les résultats de la simulation numérique bidimensionnelle en utilisant le module ATLAS du logiciel SILVACO sous l‟influence de différents paramètres technologiques et nous avons obtenu de bons résultats. | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | 08-05-2019 | en_US |
| dc.subject | p-HEMTs, , Monte Carlo, Materiau InGaAs, Silvaco. | en_US |
| dc.subject | :p-HEMTs, , Monte Carlo, Matériau InGaAs, Silvaco | en_US |
| dc.title | Etude, Simulation et modélisation des transistors pseudo- morphique p-HEMTs à base d‟InxGa1-xAs | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| Collection(s) : | Doctorat classique en Physique | |
Fichier(s) constituant ce document :
| Fichier | Description | Taille | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Etude-Simulation-et-modelisation-des-transistors-pseudo--morphique-p-HEM-s-a-base-dInxGa1-xAs.pdf | CD | 2,95 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
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