Etude et simulation des performances de transport électronique dans les structures MESFET et HEMT à base de GaInSb/GaAs

Abstract

Ce travail s’adresse à l’étude du transport des électrons dans les dispositifs électroniques à base de matériaux ternaires III-V et particulièrement à base du matériau GaxIn1-xSb par la méthode Monte Carlo. En effet, dans le cas des dispositifs électroniques, il est nécessaire de coupler la méthode Monte Carlo avec l’équation de Poisson afin de redistribuer les charges électriques et donc le champ électrique dans tous les points du dispositif. L’objectif principal de notre travail est de faire l’étude et la simulation du transport électronique dans les transistors MESFET ET HEMT nanométriques à base du GaxIn1-xSb par la méthode Monte Carlo.