Etude et conception d’un transistor nanométrique a grille enrobante GAA MOSFETs

Abstract

Le nombre grandissant de défis à relever au quotidien pour lutter contre les effets canaux courts dans les prochaines générations de transistors MOSFET conventionnels sur bulk est singulièrement impressionnant. De ce fait, il devient donc nécessaire de développer de nouvelles architectures de transistors MOSFETs à grille multiples. Dans ce contexte, le travail présenté dans cette thèse a été principalement consacré à l’étude et la modélisation par le biais de la simulation sous environnement ATLAS-SILVACO de différentes structures de transistors MOSFET à grille enrobante. Ces architectures multi-grille apparaissent comme les futurs candidats pour relever le défi lié à la réduction de la taille de ces transistors. Le GAA MOSFET considéré comme le plus performant des transistors à grilles multiples permet un meilleur contrôle électrostatique du canal .Nos travaux de thèse portent sur l'étude et la modélisation par le biais de la simulation sous environnement SILVACO de différentes structures GAA telle que les GAA MOSFETs cylindrique et rectangulaire. Nous avons pu ainsi mettre en évidence les effets de la variation des paramètres de ces transistors sur leurs performances.