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Titre: Etude Ab Initio des Propriétés Structurales, Élastiques et Électroniques de l’Oxydo-Nitride GaZnNO.
Auteur(s): BOUFATAH, Réda Mohammed
Mots-clés: DFT, FP-LAPW, GaNZnO, non-isovalent, Stabilité, Propriétés électroniques.
DFT, FP-LAPW, GaNZnO, non-isovalent, Stability, Electronic Properties.
Date de publication: 15-jui-2018
Editeur: 09-10-2018
Référence bibliographique: salles des thèses
Résumé: Nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques de la structure hypothétique cubique (GaN)1/(ZnO)1 en super-réseau. La stabilité de la structure est vérifiée par les propriétés élastiques et la comparaison de l'énergie totale avec sa phase stable wurtzite. L'énergie de gap calculée est légèrement indirecte et inférieure à celle des binaires parents GaN et ZnO. Ceci indique un fort paramètre de courbure. Nous avons constaté que l'origine de cette diminution est attribuée à la répulsion p-d de la liaison Zn-N et de la présence de l'électron p de l'oxygène. Nous espérons que nos résultats prédictifs de la phase zinc blende du (GaN)1/(ZnO)1 puissent servir comme référence pour les futurs travaux de recherche aussi bien théoriques qu’expérimentaux sur les matériaux non-isovalents.
URI/URL: http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13143
Collection(s) :Doctorat LMD en en Physique

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