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dc.contributor.authorBERRAYAH, Abdelnasser-
dc.contributor.authorKIRIA, Wafaa-
dc.date.accessioned2017-10-30T10:49:40Z-
dc.date.available2017-10-30T10:49:40Z-
dc.date.issued2016-05-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/11007-
dc.description.abstractCe mémoire a été consacré à la conception et configuration de nouvelles topologies des filtres passe-bandes basées sur le principe des cavités résonnantes latérales à base de la technologie SIW (Substrate Integrated Waveguide) opérant en bande C et S qui s’étalent sur [4-8 GHz] et [2-4GHz] respectivement. Des résultats performants ont été obtenus en termes de filtrage, d’adaptation et de rejection, nous avons abouti à la conception de trois nouvelles topologies des filtres, deux structures de filtre passe bande opérant dans la bande C avec une bande passante de [5-8.8 GHz] et [5.3-8.8 GHz] respectivement, la troisième structure de filtre passe-bande opère dans la bande S qui donne une bande passante de [2.3-3.8 GHz], en introduisant un filtre passe bas à l’entrée de la ligne micro ruban vue que les résultats obtenus en suivant la procédure de réalisation des structures fonctionnant dans la bande C n’était pas satisfaisante. Les différentes simulations ont été achevées en employant le simulateur CST Microwave Studio.en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectTechnologie SIW, filtres, bande C, bande S,en_US
dc.subjectsimulation, CST Microwave Studio.en_US
dc.titleNOUVELLES CONFIGURATIONS DES FILTRES À CAVITES RESONANTES LATERALES EN BANDE S ET C POUR LES APPLICATIONS SPATIALES À BASE DE LA TECHNOLOGIE SIWen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master en Télécommunication

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