Modélisation et simulation de l’influence de la résistance shunt sur les caractéristiques I(V) et P(V) d’une cellule photovoltaïque .

Abstract

A mesure que les besoins mondiaux en électricité augmentent, l'intérêt pour l'énergie solaire qui est une énergie renouvelable est devenu très important dont la technologie photovoltaïque basée sur les cellules photovoltaïques qui converti l’énergie solaire en électricité devient extrêmement prometteuse. Notre travail présente une étude de l’influence de la résistance shunt sur les caractéristiques de la cellule photovoltaïque, en étudiant leur effet sur ses différents paramètres comme la puissance, le courant, le facteur de forme et le rendement. La résistance shunt influe sur la pente de la caractéristique dans la zone où la cellule photovoltaïque fonctionne comme un générateur de courant, lorsque la résistance diminue, la valeur de tension de circuit ouvert diminue. Elle influe aussi sur la puissance maximale fournit par la cellule, cette puissance est alors optimale pour les valeurs les plus élevées de la résistance shunt. Les résultats obtenus montrent qu’une diminution de la valeur de la résistance shunt induit un éloignement du fonctionnement réel de la cellule photovoltaïque donc, elle nuise la performance de cette dernière et réduit leur efficacité.