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dc.contributor.authorARBOUCHE, Henane-
dc.contributor.authorSENOUSSAOUI, Nisrine-
dc.date.accessioned2017-10-29T09:25:58Z-
dc.date.available2017-10-29T09:25:58Z-
dc.date.issued2017-06-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/10941-
dc.description.abstractRésumé Les développements technologiques en télécommunication et microondes tendent depuis plusieurs années vers la miniaturisation des circuits, une réduction des coûts, des masses et des pertes dans ces dispositifs. Les circuits SIW (Substrate Integrated Waveguide) s’inscrivent tout à fait dans cette mouvance et font à l’heure actuelle l’objet de nombreux sujets de recherche avec des applications directes dans l’industrie. Ce mémoire a été consacré à la conception de structures originales des filtres SIW (Substrate Integrated Waveguide) à cavités couplées opérant en bande C et S qui s’étalent sur [4-8 GHz] et [2-4GHz] respectivement. Des résultats performants ont été obtenus en termes de filtrage, d’adaptation et de rejection. Les différentes simulations ont été achevées en employant le simulateur CST Microwave Studio.en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectransition micro-ruban (taper).en_US
dc.subjectSIW (Substrate Integrated Waveguide), filtre, cavités couplées,en_US
dc.titleStructures Originales Des Filtres SIW Passe Bande à Cavités Coupléesen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master en Télécommunication

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