1. Depot institutionnel de l'Universite Abou Bekr Belkaid Tlemcen UABT

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Date de publicationTitreAuteur(s)
13-jui-2017Simulation des comportements DC et RF des transistors Al0.2Ga0.8As PHEMT et TiO2 MOS-HEMT pseudomorphiquesTAIBI, Abdennasser; MEZIANE, Nasraddine
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