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| Date de publication | Titre | Auteur(s) |
| fév-2012 | AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors (HFETs) Model Including Impact Ionization Rates | Sayah, C; Bouazza, B; Guen Bouazza, A; Chabane Saria, N E |
| 29-sep-2003 | Analyse du Phénomène de Transport Electronique dans l’InAs et le GaAs par la méthode de Monte Carlo pour la conception d’un transistor PHEMT | Amer, L; Sayah, C; Bouazza, B; Guen Bouazza, A; Chabane Sari, NE; Gontrand, C |
| 28-sep-2003 | LOW VOLTAGE, LOW POWER CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER INPUT STAGE | Guen Bouazza, A; Bouazza, B; Omari, B; Chabane Sari, NE; Gontrond, C |
