Navigation de collection par Sujet high ambient temperatures
Montrant les résultats 1 à 1 de 1
| Date de publication | Titre | Auteur(s) |
|---|---|---|
| fév-2012 | AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors (HFETs) Model Including Impact Ionization Rates | Sayah, C; Bouazza, B; Guen Bouazza, A; Chabane Saria, N E |