Navigation de collection par Sujet Semi-conducteurs III-V, Matériau GaxIn1-xSb, Transport Electronique, Méthode Monte Carlo, Transistors MESFET et HEMT.
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Date de publication | Titre | Auteur(s) |
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9-sep-2018 | Etude et simulation des performances de transport électronique dans les structures MESFET et HEMT à base de GaInSb/GaAs | EL OUCHDI, Ahmed Amine |